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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc
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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

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Descripción

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7 5 voltios Rendimiento especificado @ 520 MHz 7.5 Volts. Potencia de salida 8 Watts. Ganancia de potencia 11dB. Eficiencia- 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie. Excelente estabilidad térmica. Capaz de manejar 20:1 VSWR @ 9 5 Vcc 520 MHz 2 dB de sobremodulación. Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.