Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Caracter sticas principales Potencia de salida de hasta 84W t picamente Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete Diodo integrado de protecci n para la puerta Dise ado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia Especificaciones el ctricas Tensi n drenaje-fuente: 40V (m x.) Tensi n puerta-fuente: -5/+10V Disipaci n del canal: 300W Corriente de drenaje: 20A (m x.) Temperatura de canal: 175 C Resistencia t rmica: 0.5 C/W Desempe o RF Potencia de salida: 84W t pico a 175MHz Eficiencia: 74% t pico a 175MHz Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz Potencia de salida: 75W t pico a 530MHz Eficiencia: 64% t pico a 530MHz Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz Frecuencia de operaci n Rango VHF: 135-175 MHz Rango UHF: 450-530 MHz Frecuencias t picas: 135 155 175 450 490 530 MHz Condiciones de prueba Tensi n de prueba: 12.5V Corriente de polarizaci n: 1.0A total / 0.5A por lado Impedancia: 50 Tasa de VSWR: 20:1 Compatibilidad Cumple con RoHS Plomo en soldaduras de alta temperatura (m s del 85%) Excepci n aplicable: Soldaduras de alta temperatura Aplicaciones Etapa de salida de amplificadores de alta potencia Sistemas de radio m vil VHF/UHF Equipos de comunicaci n de banda ancha Condiciones ambientales Temperatura de operaci n: -40 C a 175 C Temperatura de almacenamiento: -40 C a 175 C Temperatura de prueba: 25 C (a menos que se indique) Caracter sticas el ctricas t picas Corriente de drenaje sin tensi n de puerta: 150 A Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5 A Tensi n umbral de puerta: 1.6V (m n.) - 2.4V (m x.) Configuraci n del circuito Paquete de moldeado Conexi n de m ltiples electrodos Dise o para evaluaci n VHF (135-175MHz) Composici n del paquete Material: Silicio Encapsulado: Paquete de molde Configuraci n de pines Cumple con est ndares RoHS Configuraci n de pines 1. Fuente (com n) 2. Drenaje 3. Drenaje 4. Fuente (com n) 5. Fuente (com n) 6. Puerta 7. Puerta 8. Fuente (com n) 9. Fuente (com n) Caracter sticas de dise o Dise o para alta eficiencia Optimizado para VHF/UHF Conexi n de m ltiples electrodos Construcci n de bajo ESR Evaluaci n y prueba Evaluaci n en placa de prueba VHF Impedancia caracter stica: 50 Material del sustrato: Epoxi de vidrio Const. diel ctrica: 4.8 @1GHz Tangente de p rdida: 0.018 @1GHz Documentaci n: AN-VHF-049 Componentes asociados Capacitores cer micos de alta Q Bobinas de precisi n Resistencias de chip SMD Capacitores electrol ticos de 220 F